Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli PSMN023-80LS,115

NXP USA Inc. PSMN023-80LS,115

Numero di parte
PSMN023-80LS,115
fabbricante
NXP USA Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Numero di parte PSMN023-80LS,115
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1295pF @ 40V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Pacchetto / caso 8-VDFN Exposed Pad
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