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| Numero di parte | 5LP01C-TB-E |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7.4pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 Ohm @ 40mA, 4V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-CP |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 50V 70MA CP
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 50V 70MA CP
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 50V 70MA MCP
Disponibile: 660000
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 50V 70MA SMCP
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP
Disponibile: 0
