Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati MUN5113DW1T1G

ON Semiconductor MUN5113DW1T1G

Numero di parte
MUN5113DW1T1G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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In stock 22500 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    0.02488/pcs

  • 3,000 pcs

    0.02222/pcs

  • 6,000 pcs

    0.01932/pcs

  • 15,000 pcs

    0.01642/pcs

  • 30,000 pcs

    0.01545/pcs

  • 75,000 pcs

    0.01449/pcs

  • 150,000 pcs

    0.01288/pcs
Totale:0.02488/pcs Unit Price:
0.02488/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte MUN5113DW1T1G
Stato parte Active
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 47k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 250mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
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