Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli NGTB50N120FL2WG

ON Semiconductor NGTB50N120FL2WG

Numero di parte
NGTB50N120FL2WG
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
IGBT 1200V 100A 535W TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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In stock 2927 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    4.90000/pcs
  • 10 pcs

    4.42450/pcs
  • 100 pcs

    3.66325/pcs
  • 500 pcs

    3.18990/pcs
Totale:4.90000/pcs Unit Price:
4.90000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte NGTB50N120FL2WG
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
Potenza - Max 535W
Cambiare energia 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 311nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 118ns/282ns
Condizione di test 600V, 50A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 256ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
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