Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati NSBC123EPDXV6T1G

ON Semiconductor NSBC123EPDXV6T1G

Numero di parte
NSBC123EPDXV6T1G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Numero di parte NSBC123EPDXV6T1G
Stato parte Obsolete
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 2.2k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 500mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563
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