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| Numero di parte | SK8403190L |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 19A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1.01mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1092pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 70A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSSO |
| Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSSO
Disponibile: 0
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSSO
Disponibile: 0
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO
Disponibile: 3000
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSSO
Disponibile: 0
