renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.
| Numero di parte | N0602N-S19-AY |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 133nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7730pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta), 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 50A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Isolated Tab |
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
Disponibile: 0
