renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.
| Numero di parte | NP82N04PDG-E1-AY |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 82A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 143W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 41A, 10V |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 82A TO-263
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 82A TO-262
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 82A TO-263
Disponibile: 0
