Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli NP90N04VUG-E1-AY

Renesas Electronics America NP90N04VUG-E1-AY

Numero di parte
NP90N04VUG-E1-AY
fabbricante
Renesas Electronics America
Descrizione
MOSFET N-CH TO-252
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

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Numero di parte NP90N04VUG-E1-AY
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7500pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 45A, 10V
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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