Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli RJH60A81RDPD-A0#J2

Renesas Electronics America RJH60A81RDPD-A0#J2

Numero di parte
RJH60A81RDPD-A0#J2
fabbricante
Renesas Electronics America
Descrizione
IGBT 600V 5A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

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Numero di parte RJH60A81RDPD-A0#J2
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 10A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 5A
Potenza - Max 29.4W
Cambiare energia 130µJ (on), 60µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 11nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 30ns/40ns
Condizione di test 300V, 5A, 5 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 100ns
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252
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