Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati DTD743EMT2L

Rohm Semiconductor DTD743EMT2L

Numero di parte
DTD743EMT2L
fabbricante
Rohm Semiconductor
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.

In stock 251642 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.05024/pcs
  • 8,000 pcs

    0.05275/pcs
  • 16,000 pcs

    0.04809/pcs
  • 24,000 pcs

    0.04499/pcs
  • 56,000 pcs

    0.04137/pcs
Totale:0.05024/pcs Unit Price:
0.05024/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte DTD743EMT2L
Stato parte Not For New Designs
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 4.7k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 115 @ 100mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 260MHz
Potenza - Max 150mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore VMT3
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