Numero di parte | DTD743EMT2L |
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Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Resistore - Base (R1) (Ohm) | 4.7k |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) | 4.7k |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 115 @ 100mA, 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 260MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | VMT3 |
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
Disponibile: 0
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Disponibile: 0
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Disponibile: 6000
fabbricante: Rohm Semiconductor
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fabbricante: Rohm Semiconductor
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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
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