Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli R6020KNZ1C9

Rohm Semiconductor R6020KNZ1C9

Numero di parte
R6020KNZ1C9
fabbricante
Rohm Semiconductor
Descrizione
NCH 600V 20A POWER MOSFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.

In stock 1125 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    1.59000/pcs
  • 10 pcs

    1.48500/pcs
  • 100 pcs

    1.21770/pcs
  • 500 pcs

    0.98604/pcs
  • 1,000 pcs

    0.83160/pcs
Totale:1.59000/pcs Unit Price:
1.59000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte R6020KNZ1C9
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 196 mOhm @ 9.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
Pacchetto / caso TO-247-3
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