Numero di parte | RAQ045P01MGTCR |
---|---|
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Vgs (massimo) | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: 1.5V DRIVE PCH MOSFET
Disponibile: 0
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
Disponibile: 0