rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.
| Numero di parte | RDN120N25FU6 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1224pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 6A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FN |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
Disponibile: 22
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
Disponibile: 0
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN
Disponibile: 0
