rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.
| Numero di parte | RDX100N60FU6 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FM |
| Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
Disponibile: 810
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FM
Disponibile: 0
