rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.
| Numero di parte | RSH100N03TB1 |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1070pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.3 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 10A SOP8
Disponibile: 0
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8
Disponibile: 0
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 12.5A SOP8
Disponibile: 0
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 14A SOP8
Disponibile: 0
