rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.
| Numero di parte | RW1E014SNT2R |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 1.4A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WEMT |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Disponibile: 0
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
Disponibile: 0
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6
Disponibile: 0
