Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SCT2H12NYTB

Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB

Numero di parte
SCT2H12NYTB
fabbricante
Rohm Semiconductor
Descrizione
1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.

In stock 6902 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    1.84000/pcs
  • 400 pcs

    2.02482/pcs
Totale:1.84000/pcs Unit Price:
1.84000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SCT2H12NYTB
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 410µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 18V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 184pF @ 800V
Vgs (massimo) +22V, -6V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-268
Pacchetto / caso TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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