rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.
| Numero di parte | SP8K5FU6TB |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2W |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC
Disponibile: 0
