Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli ESM2012DV

STMicroelectronics ESM2012DV

Numero di parte
ESM2012DV
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Numero di parteESM2012DV
Stato parteObsolete
Transistor TypeNPN - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max)120A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 1A, 100A
Corrente - Limite del collettore (max)-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce1200 @ 100A, 5V
Potenza - Max175W
Frequenza - Transizione-
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoISOTOP
Pacchetto dispositivo fornitoreISOTOP®
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