Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IRF630FP

STMicroelectronics IRF630FP

Numero di parte
IRF630FP
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Parametro del prodotto
Numero di parteIRF630FP
Stato parteObsolete
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs400 mOhm @ 4.5A, 10V
temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220FP
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack
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