Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STB6N60M2

STMicroelectronics STB6N60M2

Numero di parte
STB6N60M2
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 600V D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 2500 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

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  • 1,000 pcs

    0.33825/pcs
Totale:0.33825/pcsUnit Price:
0.33825/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteSTB6N60M2
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds232pF @ 100V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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