Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STB8N65M5

STMicroelectronics STB8N65M5

Numero di parte
STB8N65M5
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 20165 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    0.62843/pcs

  • 1,000 pcs

    0.62843/pcs
Totale:0.62843/pcsUnit Price:
0.62843/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteSTB8N65M5
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds690pF @ 100V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs600 mOhm @ 3.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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