Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STF11N60M2-EP

STMicroelectronics STF11N60M2-EP

Numero di parte
STF11N60M2-EP
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 27369 pz

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Totale:0.47850/pcsUnit Price:
0.47850/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteSTF11N60M2-EP
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds390pF @ 100V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs595 mOhm @ 3.75A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220FP
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack
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