STMicroelectronics STFU6N65

Numero di parte: STFU6N65
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: N-CHANNEL 650 V, 1.2 OHM TYP., 4
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

STMicroelectronics

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In stock 2495 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
0.82000/pcs
10 pcs
0.77750/pcs
100 pcs
0.62495/pcs
500 pcs
0.48606/pcs
1,000 pcs
0.40274/pcs

Totale:0.82000/pcs

Unit Price:

0.82000/pcs

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Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	STFU6N65
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	463pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	620mW (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7 Ohm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220FP
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack