STMicroelectronics STI13NM60N

Numero di parte: STI13NM60N
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

STMicroelectronics

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In stock 2232 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
1.53500/pcs
10 pcs
1.44950/pcs
100 pcs
1.18840/pcs
500 pcs
0.96230/pcs
1,000 pcs
0.81158/pcs

Totale:1.53500/pcs

Unit Price:

1.53500/pcs

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Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	STI13NM60N
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 50V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I2PAK
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA