STMicroelectronics STI20N60M2-EP

Numero di parte: STI20N60M2-EP
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 13A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

STMicroelectronics

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Numero di parte	STI20N60M2-EP
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	787pF @ 100V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	278 mOhm @ 6.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220
Pacchetto / caso	TO-220-3