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| Numero di parte | STI55NF03L |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1265pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 27.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -60°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK
Disponibile: 1230
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK-3
Disponibile: 395
