STMicroelectronics STL33N60DM2

Numero di parte: STL33N60DM2
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: N-CHANNEL 600 V, 0.115 OHM TYP.,
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

STMicroelectronics

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Numero di parte	STL33N60DM2
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1870pF @ 100V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 10.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerFlat™ (8x8) HV
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN