STMicroelectronics STP27N60M2-EP

Numero di parte: STP27N60M2-EP
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

STMicroelectronics

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In stock 2235 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
2.74000/pcs
10 pcs
2.58500/pcs
100 pcs
2.11970/pcs
500 pcs
1.71644/pcs
1,000 pcs
1.44760/pcs

Totale:2.74000/pcs

Unit Price:

2.74000/pcs

Etichetta del prezzo:

Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	STP27N60M2-EP
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1320pF @ 100V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	163 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220
Pacchetto / caso	TO-220-3