Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STS4DNFS30

STMicroelectronics STS4DNFS30

Numero di parte
STS4DNFS30
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 6580 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.83500/pcs
  • 10 pcs

    0.79300/pcs
  • 100 pcs

    0.63730/pcs
  • 500 pcs

    0.49569/pcs
  • 1,000 pcs

    0.41071/pcs
Totale:0.83500/pcs Unit Price:
0.83500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte STS4DNFS30
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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