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| Numero di parte | STV160NF03LAT4 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 160A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5350pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 210W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 80A, 10V |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 10-PowerSO |
| Pacchetto / caso | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
Disponibile: 0
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
Disponibile: 0
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
Disponibile: 0
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
Disponibile: 0
