Numero di parte | CSD19534KCS |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.2nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1670pF @ 50V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 118W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 30A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
fabbricante: Tripp Lite
Descrizione: 10-DEVICE DESKTOP USB CHARGING S
Disponibile: 0
fabbricante: Hoffman Enclosures, Inc.
Descrizione: BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W
Disponibile: 2
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Disponibile: 72000
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
Disponibile: 0