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| Numero di parte | CSD87333Q3DT |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.3 mOhm @ 4A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 662pF @ 15V |
| Potenza - Max | 6W |
| temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VSON (3.3x3.3) |
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR
Disponibile: 0
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Disponibile: 0
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Disponibile: 3500
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET 2N-CH
Disponibile: 3750
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Disponibile: 0
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Disponibile: 0
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D
Disponibile: 1
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
Disponibile: 7500
