Toshiba Semiconductor and Storage 1SS196(TE85L,F)

Numero di parte: 1SS196(TE85L,F)
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Diodi - Raddrizzatori - Singoli

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parametro del prodotto

Numero di parte	1SS196(TE85L,F)
Stato parte	Active
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	80V
Corrente - Rettificato medio (Io)	100mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2V @ 100mA
Velocità	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)	4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	500nA @ 80V
Capacità @ Vr, F	3pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore	SC-59-3
Temperatura operativa - Giunzione	125°C (Max)