Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli 2SC6026MFVGR,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026MFVGR,L3F

Numero di parte
2SC6026MFVGR,L3F
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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In stock 40000 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.01575/pcs
  • 8,000 pcs

    0.01575/pcs
  • 16,000 pcs

    0.01339/pcs
  • 24,000 pcs

    0.01260/pcs
  • 56,000 pcs

    0.01182/pcs
  • 200,000 pcs

    0.01050/pcs
Totale:0.01575/pcs Unit Price:
0.01575/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte 2SC6026MFVGR,L3F
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max) 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Potenza - Max 150mW
Frequenza - Transizione 60MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore VESM
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