Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli 2SD2406-Y(F)

Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2406-Y(F)

Numero di parte
2SD2406-Y(F)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS NPN 80V 4A TO220NIS
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parametro del prodotto
Numero di parte 2SD2406-Y(F)
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max) 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 300mA, 3A
Corrente - Limite del collettore (max) 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 5V
Potenza - Max 25W
Frequenza - Transizione 8MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220NIS
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