Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Numero di parte
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parametro del prodotto
Numero di parte HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Stato parte Active
Transistor Type NPN, PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Potenza - Max 200mW
Frequenza - Transizione 150MHz
temperatura di esercizio 125°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore US6
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