Toshiba Semiconductor and Storage RN1101,LF(CT

Numero di parte: RN1101,LF(CT
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parametro del prodotto

Numero di parte	RN1101,LF(CT
Stato parte	Active
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistore - Base (R1) (Ohm)	4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm)	4.7k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)	500nA
Frequenza - Transizione	250MHz
Potenza - Max	100mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SC-75, SOT-416
Pacchetto dispositivo fornitore	SSM