Toshiba Semiconductor and Storage RN1902FE,LF(CT

Numero di parte: RN1902FE,LF(CT
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati

Toshiba Semiconductor and Storage

toshiba semiconductor & storage offers a broad range of enabling technology solutions that allow oems, odms, cms and fabless chip companies to develop advanced integrated products for the computing, networking, communications, digital consumer, automotive and other markets.

In stock 10000 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
0.03255/pcs
4,000 pcs
0.03255/pcs

Totale:0.03255/pcs

Unit Price:

0.03255/pcs

Etichetta del prezzo:

Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	RN1902FE,LF(CT
Stato parte	Active
Transistor Type	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistore - Base (R1) (Ohm)	10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm)	1k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione	250MHz
Potenza - Max	100mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore	ES6