Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU(T5L,T)

Numero di parte: SSM3J114TU(T5L,T)
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parametro del prodotto

Numero di parte	SSM3J114TU(T5L,T)
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	331pF @ 10V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	149 mOhm @ 600mA, 4V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	UFM
Pacchetto / caso	3-SMD, Flat Leads