Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35AMFV,L3F

Numero di parte: SSM3K35AMFV,L3F
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parametro del prodotto

Numero di parte	SSM3K35AMFV,L3F
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	250mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.34nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	36pF @ 10V
Vgs (massimo)	±10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-723
Pacchetto / caso	-