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| Numero di parte | SSM6L13TU(T5L,F,T) |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 143 mOhm @ 600mA, 4V, 234 mOhm @ 600mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 268pF @ 10V, 250pF @ 10V |
| Potenza - Max | 500mW |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | UF6 |
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET ARRAY N/P-CH 20V UF6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Disponibile: 0
