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| Numero di parte | TJ20S04M3L(T6L1,NQ |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | +10V, -20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.2 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK+ |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3
Disponibile: 0
