Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IRLD024PBF

Vishay Siliconix IRLD024PBF

Numero di parte
IRLD024PBF
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

In stock 24965 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.52000/pcs
  • 10 pcs

    0.48950/pcs
  • 100 pcs

    0.38675/pcs
  • 500 pcs

    0.29992/pcs
  • 1,000 pcs

    0.23678/pcs
Totale:0.52000/pcs Unit Price:
0.52000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IRLD024PBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 25V
Vgs (massimo) ±10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 1.5A, 5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacchetto / caso 4-DIP (0.300", 7.62mm)
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