Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SI2341DS-T1-E3

Vishay Siliconix SI2341DS-T1-E3

Numero di parte
SI2341DS-T1-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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Numero di parte SI2341DS-T1-E3
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72 mOhm @ 2.8A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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