Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array SI6925ADQ-T1-GE3

Vishay Siliconix SI6925ADQ-T1-GE3

Numero di parte
SI6925ADQ-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Vishay Corporation

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In stock 4005 pz
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Parametro del prodotto
Numero di parte SI6925ADQ-T1-GE3
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 800mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP
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