Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Diodi - Raddrizzatori - Singoli BYC8B-600,118

WeEn Semiconductors BYC8B-600,118

Numero di parte
BYC8B-600,118
fabbricante
WeEn Semiconductors
Descrizione
DIODE GEN PURP 500V 8A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

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Parametro del prodotto
Numero di parte BYC8B-600,118
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 500V
Corrente - Rettificato medio (Io) 8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.9V @ 8A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 52ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 150µA @ 600V
Capacità @ Vr, F -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Temperatura operativa - Giunzione 150°C (Max)
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BYC8B-600,118

fabbricante: WeEn Semiconductors

Descrizione: DIODE GEN PURP 500V 8A D2PAK

Disponibile: 0

RFQ 0.22400/pcs
BYC8B-600PJ

fabbricante: WeEn Semiconductors

Descrizione: DIODE HYPER FAST 600V 8A D2PAK

Disponibile: 0

RFQ 0.18900/pcs
BYC8B-600PQP

fabbricante: NXP USA Inc.

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 8A

Disponibile: 0

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