ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル EPC2021ENG

EPC EPC2021ENG

部品番号
EPC2021ENG
メーカー
EPC
説明
TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
EPC

EPC

epc designs, develops, markets, and sells gallium nitride based power management devices using mature silicon foundries.

在庫数量で数量個
  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    5.67000/pcs
  • 10 pcs

    5.67000/pcs
  • 30 pcs

    5.16600/pcs
  • 100 pcs

    4.66200/pcs
合計:5.67000/pcs Unit Price:
5.67000/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 EPC2021ENG
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 80V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 60A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 5V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 14mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 15nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1700pF @ 40V
Vgs(最大) +6V, -4V
FET機能 -
消費電力(最大) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.5 mOhm @ 29A, 5V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ Die
パッケージ/ケース Die
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