epc designs, develops, markets, and sells gallium nitride based power management devices using mature silicon foundries.
| 部品番号 | EPC2100ENGRT |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET機能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.5A (Tj), 38A (Tj) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 8 mOhm @ 25A, 5V, 2 mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 4mA,2.5V @ 16mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 3.5nC @ 15V, 15nC @ 15V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 380pF @ 15V, 1700pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | - |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | Die |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
